紅外探傷儀
對多晶、單晶硅塊進行快速、無接觸的缺陷檢測
對多晶、單晶硅塊進行快速、無接觸的缺陷檢測
XH-IR100紅外探傷儀技術協議:XH-100R紅外探傷儀能夠對太陽能硅塊進行快速、無接觸的缺陷檢測。檢測的缺陷類型包括:裂紋和空洞、SiC雜質、 微晶聚集結構、金屬沉淀。用戶在計算機中可以輕松對硅塊進行探傷分析。
性能名稱 | 技術指標 |
---|---|
光源 | 紅外光源并可調整光源強度; |
測試速度 | 每塊<1分鐘 |
測試尺寸 | 125mmx125mm,156mmx156mm或210mmx 210mm,并滿足最大尺寸400mm×210mm×210mm |
顯示分辨率 | 1000×2600像素 |
可通過操作軟件操控測量探頭進行y-z移動實現近距離分析硅錠中的雜質; | |
具備自動旋轉樣品臺操作功能,實現硅錠4側面的自動測試。 |
|
|
|
|
||||
數據采樣 | 基線設置 | 設置傷痕線 | 3D效果顯示 |